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    Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

    —— 器件采用欧翼引线结构PowerPAK SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证
    作者:时间:2021-04-08来源:电子产品世界收藏

    日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET? ---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型单体封装,10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。

    本文引用地址:http://www.0546ztq.com/article/202104/424269.htm

    日前发布的汽车级导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增加功率密度提高输出。SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52 nC,减少栅极驱动损耗,栅极电荷与导通电阻乘积,即用于功率转换应用的优值系数(FOM)达到业界出色水平。

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    器件可在+175 °C高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。

    器件80 V额定电压满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度,从而减少需要并联的元器件数量,节省PCB空间。此外,作为p沟道器件,SQJA81EP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需的电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。

    SQJA81EP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。



    关键词: MOSFET

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